الصفحه الرئيسيه
تسعدنا مشاركاتك شارك معنا
منتدى نوفلكو
الصفحه الرئيسيه
تسعدنا مشاركاتك شارك معنا
منتدى نوفلكو
الصفحه الرئيسيه
هل تريد التفاعل مع هذه المساهمة؟ كل ما عليك هو إنشاء حساب جديد ببضع خطوات أو تسجيل الدخول للمتابعة.

الصفحه الرئيسيه


 
الرئيسيةالرئيسية  أحدث الصورأحدث الصور  التسجيلالتسجيل  دخول  

لمسجلين الجـدد : هل تواجه صعوبة في تفعيل عضويتك سيتم تفعيله تلقائياً ضمن 24 ساعة أو أقل /// فلا تنسى أسم المستخدم و كلمة السر عند التسجيل للدخول للمنتدى
اكبر موسوعه للحروف .. ادخلو ونقو حرفكم على زوقكماكبر موسوعه للحروف .. ادخلو ونقو حرفكم على زوقكماكبر موسوعه للحروف .. ادخلو ونقو حرفكم على زوقكماكبر موسوعه للحروف .. ادخلو ونقو حرفكم على زوقكماكبر موسوعه للحروف .. ادخلو ونقو حرفكم على زوقكماكبر موسوعه للحروف .. ادخلو ونقو حرفكم على زوقكماكبر موسوعه للحروف .. ادخلو ونقو حرفكم على زوقكم

 

 شرح للدوائر الكترونيه

اذهب الى الأسفل 
كاتب الموضوعرسالة
عدوه الشيطان

عدوه الشيطان


عدد الرسائل : 331
العمر : 28
العمل/الترفيه : طالبه
السٌّمعَة : 10
تاريخ التسجيل : 10/09/2008

شرح للدوائر الكترونيه Empty
مُساهمةموضوع: رد: شرح للدوائر الكترونيه   شرح للدوائر الكترونيه Emptyالسبت ديسمبر 25, 2010 6:38 am


توصيل MOSFET
الآن كيف نصمم دائرة باستخدام FET / MOSFET ؟ هل نستخدم نفس الدوائر؟
تقريبا فقط نراعى الفرق الهام بين العادى و المعزز أو المحسن Enhanced لأن
الأول موصل و جهد الدخول يحركه نحو القطع و الآخر لا يوصل و يحتاج جهد حتى
يبدأ التوصيل

الرسم يوضح دائرة مكبر يعمل بترانزيستور FET
شرح للدوائر الكترونيه Qariya-af40f6786e
نلاحظ أن الدائرة تكاد تكون مثيلة للترانزيستور العادى إلا أنها أقل فى عدد المكونات
حقا ولكن أى الأنواع هذا ؟
لا داعى لأن نسأل و نقول أفيدونا ! فالحس الهندسى مبنى على الاستنتاج
ما وظيفة الدائرة؟ -- مكبر
إذن فى الوضع العادى يجب أن تكون فى حالة توصيل، فلو كانت فى حال القطع
سنحتاج أن يرتفع الجهد ليقوم بفتح الترانزيستور – إذن يضيع جزء من الإشارة
لو نظرنا للدائرة نجد أن المقاومة الخاصة بالبوابة Gate متصلة بينها و بين
الأرض و لا يوجد جهد من المنبع أو خلافه يجعل الترانزيستور فى حال التوصيل
– إذن يجب أن يكون الترانزيستور من النوع العادى ذاتى التوصيل و جهد
البوابة يعمل على قفله
نفس الدائرة تنفذ بآخر MOSFET من النوع العادى Depletion
لو أردنا استخدام طراز معزز Enhanced يجب توصيل مقاومة إضافية لتحديد نقطة العمل
أما لو كان الحمل مثلا ريلاى هكذا

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-4431663c9e
فطبيعى أن يكون من النوع المعزز Enhanced و الذاتى القطع و فقط عندما نضع جهد على البوابة يفتح
إذن الأول يعمل مكبر!! أين مقاومة القاعدة لنحسب الكسب و خلافه؟
المسألة هنا أسهل - فقط نحتاج لفهم الأحداث
فى الترانزيستور العادى كان تيار القاعدة يتحكم فى تيار المجمع و بالتالى حسبنا شرح للدوائر الكترونيه Bt نسبة التيار فى كل منهما.
هنا جهد البوابة يتحكم فى تيار المخرج Drain لذلك نعرف الترانزيستور FET بهذه الخاصية أى
تيار المخرج ÷ جهد البوابة
Id/Vg
نلاحظ أن النسبة هى مقلوب المقاومة أو 1÷ م
لذلك ابتدعوا لها مسمى جديد معكوس كلمة OHM وهو MHO وهو رمز التوصيل و تلفظ "موهو" و ليس موا كما يحلو للبعض
هذه الوحدات منذ القدم مستخدمة و كانت فى الصمامات الإلكترونية أيضا . يرمز لها بالرمز gm
المسألة أصبحت سهلة
gm هى تغير تيار المخرج بالنسبة لجهد الدخول
يكون جهد الخرج = هذه النسبة × مقاومة الخرج × جهد الدخول
والكسب إذن = هذه النسبة × مقاومة الخرج
طبعا مقاومة الدخول = مقاومة البوابة و يمكنك أن تستخدمها عالية بالقدر الذى يجعلها لا تؤثر على ما قبلها
يمكن إضافة مقاومة ومكثف لتغيير نقطة التشغيل و تقليل التيار تماما كما فى الترانزيستور العادى .
يمكن استخدامه فى أى دائرة يستخدم فيها الترانزيستور العادى – بل أفضل و
هناك بعض الدوائر تصلح فقط بهذه النوعية من الترانزستورات مثل التعامل مع
مستقبلات الأشعة تحت الحمراء ، مفاتيح أللمس ، مقياس الرطوبة ، كل
الحساسات التى تنتج جهد قليل مع تيار ضعيف .
كما أنها تعمل بصورة أكثر جودة مع دوائر الرنين حيث أنها لا تشكل حملا عليها.

المذبذبات
نفس الدوائر يمكن عملها أيضا بجودة أفضل فمن الصعب عمل مذبذبات كريستال
بالترانزيستورات لأن انخفاض المقاومة يؤدى إلى انخفاض جودة المذبذب
شرح للدوائر الكترونيه Qariya-0a61254eb5

أما لكى نعمل دارلنجتون ، فالأمر هنا مختلف حيث يستخدم لزيادة معاوقة
الدخول ويوصل المنبع بالقاعدة لترانزيستور عادى وهذا ما سنجده فى مكبر
العمليات إن شاء الله
إ

الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
عدوه الشيطان

عدوه الشيطان


عدد الرسائل : 331
العمر : 28
العمل/الترفيه : طالبه
السٌّمعَة : 10
تاريخ التسجيل : 10/09/2008

شرح للدوائر الكترونيه Empty
مُساهمةموضوع: رد: شرح للدوائر الكترونيه   شرح للدوائر الكترونيه Emptyالسبت ديسمبر 25, 2010 6:34 am


التوصيل بطريقة دارلنجتون
ذكرنا قبل ذلك لزيادة معاوقة الدخول نستخدم طريقة دارلنجتون ! ما هى؟
ابتكر العالم سيدنى دارلنجتون هذه الطريقة لتكبير المعامل شرح للدوائر الكترونيه Bt بضربه فى شرح للدوائر الكترونيه Bt لترانزيستور آخر قد يكون من نفس الرقم أو رقم مختلف.
هذه الطريقة ناجحة و أدت لزيادة معاوقة الدخول بشكل ملموس كما أنها حل مثالى لحل مشكلة تيار الحمل حينما يحتاج الحمل لتيار كبير
عادة تكون ترانزيستورات ذات الأمبير العالى ذات شرح للدوائر الكترونيه Bt منخفضة و خاصة إذا كان الجهد عالى فمثلا الترانزستورات التى كانت تستخدم كمكبر أفقى فى التليفزيون كانت ذات شرح للدوائر الكترونيه Bt من 2 إلى 6 لكونها 600 إلى 900 فولت وهنا طبعا تمثل هذه الطريقة حلا مناسبا .
شرح للدوائر الكترونيه Qariya-9426d4c080
تعانى هذه الطريقة من عيب خطير جدا وهو أن كل تيار خارج من الباعث للأول
يكبر بواسطة الثانى الذى لا يميز بين كونه تيارا مطلوبا أو تيار تسريب من
خامة الترانزيستور
لحل هذه المشكلة توصل مقاومة كما بالشكلين 2 ، 3 لإيجاد مسار لهذه
التيارات خارج قاعدة الترانزيستور التالى وهى تبنى على أساس أن تيار
التسريب × المقاومة أقل من أدنى قيمة تصلها وصلة القاعدة-باعث
للترانزيستور الثانى وعادة تكون حول 100-120 شرح للدوائر الكترونيه Ohm
تصلح هذه الطريقة لأن تكون مغذية خطوط Line Driver لكونها ذات معاوقة خرج قليلة و معاوقة دخل عالية

تستخدم هذه الطريقة للتكبير من التيار المستمر و حتى الميكرو ويف و ليس
بالضرورة أن تكون لزيادة معاوقة الدخول فمثلا الترانزستورات MAR-1 إلى
MAR-8 كلها مكبرات من تيار مستمر وحتى جيجا هيرتز و معاوقة الدخول و
الخروج 50شرح للدوائر الكترونيه Ohm وهى ببساطة أيضا دارلنجتون.
أرجو ألا ننسى وحدات الدارلنجتون و الوحدات التالية ، فكلها قوالب بناء فى
الدوائر المتكاملة سنقول هذا دارلنجتون وهذا كذا لذا أرجو التذكر أو
العودة لمراجعتها عند اللزوم
وحدات تكبير القدرة العالية مثل التى تعطى 50 أمبير ، 100 أو 200 كثيرا ما
تستخدم دارلنجتون للوصل لتيار دخول ذو قيم قليلة تسهل استخدامها مثل وحدات
الأنفيرتر التى تستخدم كمغيرات تردد وقد رأيت ثلاث مراحل دارلنجتون لكل
ترانزيستور
لا يشترط أن يكون الترانزيستورين من نفس النوع بل يمكن كما سنرى لاحقا أن
يكون الأول موجب PNP و الثانى سالب NPN كما يمكن أن يكون الأول FET,MOSFET
والثانى NPN كما سنرى فى مكبر العمليات ولكن الثانى دوما من نوع ثنائى
القطبية
Bi-Polar Transistor

هذه الطريقة جيدة لتكبير القدرة باستخدام دائرة الباعث المشترك أو المجمع
المشترك (تابع مهبط) Emitter Follower و لكن كفاءتها قليلة لا تتعدى 30%
والسبب أن هناك تيار مقداره نصف التيار الأقصى مستهلك بصفة مستديمة و يزيد
للقيمة القصوى وينقص للصفر مع الإشارة ، لذا ابتكرت طريقة المحول منذ أيام
الصمامات الإلكترونية لربط وحدتين معا لتكبير الإشارة وهى موضوع المرة
القادمة إن شاء الله .

مرحلة خرج واحدة غالبا ما لا تفى بالغرض فإن لم يكن من حيث القدرة فيكون من حيث جودة الإشارة الناتجة.
لا نستطيع أن نضع مكبرين على التوازى و السبب أننا لا نستطيع أن نجد
قطعتين متماثلتين و لهذا سيكون جهد إحداها أعلى من الأخرى فتحمل هذه على
تلك مسببة مشاكل لا حصر لها خاصة عند بدء تشغيل الجهاز حيث تكون استجابة
المكبرات غير متوقعة و عفوية ، كل مرة قد تختلف عن سابقتها . لذلك استخدم
المحول لجمع الدوائر معا كالدائرة التالية
شرح للدوائر الكترونيه Qariya-fa52ac6ed1
من الدائرة نرى عدة ميزات
1- تيار المجمع للترانزيستورين يسير داخل المحول عكس بعضهما ولذلك يلغى
المجال المغناطيسى لأحدهما الآخر فيقلل احتمال حدوث تشبع للحديد و بالتالى
تشويه الخرج.
2- أنه لا جدوى من جعل الإشارة على القاعدتين متماثلتين لنفس السبب
المذكور فى بند1 لذلك نجعل أحدهما عكس الآخر فى الوجه لذلك ، عندما يزيد
التيار فى أحدهما يقل فى الآخر كما لو أن أحدهما يدفع التيار للمحول
والآخر يجذبه منه فسميت دائرة الدفع و الجذب Push - Pull.
3- التشويه الناتج من عدم خطية المكبرات (الترانزيستور) كما ذكرنا سابقا
بتحليل فورير لها نجد أن المركبات الزوجية (2× ،4× الخ) تلغى بعضها داخل
المحول فهى مثل التيار المستمر ، وهى النسبة الأكبر فى التشويه لذلك فهذه
الدائرة جيدة
لكنها لا تخلو من العيوب أيضا فهى
1- وجود المحول يشكل عبئ على الدائرة من حيث كونه حمل حثى و بدون
الاحتياطات الكافية فان انقطاع سلك الحمل يتسبب فى توليد جهد عالى من
المحول يدمر وحدتى الترانزيستور (أو الصمامات سابقا)
2- المحولات بطبيعتها تعانى من اعتمادها على التردد و ما يناسب 20 ذ/ث
(أول النطاق السمعى) لا يناسب 200 ذ/ث و بالتالى 2000 أو 20000ذ/ث (أخر
النطاق السمعى)
3- فى القدرات الكبيرة تشكل المحولات وزنا كبيرا سواء وحدات التغذية أو وحدة الخرج هذه

لحسن الحظ فى دوائر الترانزيستور أمكن عمل نفس الدائرة بأسلوب أخر وهو
تحقيق الاختلاف باستخدام ترانزيستورات مختلفة فيوجد س م س ، م س م PNP,NPN
وهو ما لم يكن يتاح سابقا بالصمامات لذلك يمكن عملها هكذا
شرح للدوائر الكترونيه Qariya-4410c3c7c6

ولكن كثير من المكبرات تحتوى محول خرج !!
هذا صحيح و لكن ليس للاستخدام العادى ، فلو ستغذى سماعات فى جوار المكبر و
لن تحتاج كابلات طويلة ، فلن تحتاج هذا المحول إنما تخيل معى هذه الحالة
لدينا مكبر يعطى 100 وات عند 4 شرح للدوائر الكترونيه Ohm
و مبنى (موقع عمل – سوبر ماركت – محطة سفر – الخ ) ، و نريد أن نوزع الصوت
عليها – ماذا نفعل ؟ سماعة واحدة لا تصلح فالقريب لا يستطيع البقاء من شدة
الصوت و البعيد بالكاد يسمع كما أنه لا يتيح لنا التقسيم لمناطق لنتمكن من
إذاعة تعليمات لمنطقة دون الأخرى
إذن نستخدم سماعات سقف ! - صح و غلط
كيف؟
السماعات إما 4 أو 8 أوم ماذا نستخدم و كيف نوصلها للحصول على 4 شرح للدوائر الكترونيه Ohm ؟
لا تقل التوصيل على التوالى والتوازى فلن تحقق كل الحالات لأى عدد من
السماعات – و الأسوأ ؟ كيف تقسمها مناطق غير متساوية فى عدد السماعات؟
أيضا نحتاج سلك يتحمل 5 أمبير ليتحمل هذه القدرة وهو مكلف فى المسافات الطويلة
مشكلة يصعب جدا حلها ، لذلك ابتدعت طريقة وهى وضع محول على خرج المكبر
يرفع الفولت إلى 70 فولت و فى أنظمة 100 فولت فيقل التيار و بالتالى يقل
قطر السلك فيسهل السير لمسافات كبيرة.
لو وضعنا السماعة عليه هكذا ستحترق ، لذا كل سماعة لها محول صغير 2 وات
(أو حسب قدرة السماعة) يحول لها من 70 فولت أو 100 إلى ما يناسبها و بذلك
يمكنك استخدام مفتاح ضبط مستوى الصوت لكل غرفة الخ
إذن هى لجمع الخرج من وحدتين!؟
ليس فقط بل تحسين كفاءة الأداء أيضا
هناك طراز أ المسمى Class A amplifier وهى كالنظام السابق حيث كل قطعة
عليها نصف التغذية و يمر بها نصف التيار الأقصى وهى لا تزيد من كفاءة
الدائرة
هناك طراز ب المسمى Class B amplifier وهى كالنظام السابق و لكن القطعتين
فى حال القطع ، و كل واحدة عليها تكبير نصف موجة و ترتاح النصف الآخر وهذا
يمكنها بالطبع من إعطاء طاقة أكبر لكل واحدة كما أنها تزيد من كفاءة
الدائرة لأنه لا يوجد تيار مفقود أثناء عند عدم وجود إشارة No Signal وتصل
الكفاءة حتى 50 % أو أكثر
هناك طراز أ- ب المسمى Class AB amplifier وهى كالنظام B السابق إلا أن
الخوف من وجود منطقة "ميتة" حيث يكون كلا الترانزيستورين مقفل مما يزيد
التشويه لذا تعطى القطعتان انحياز طفيف نحو التوصيل لتجنب ذلك و هى بين
الاثنتين
هناك طراز ج المسمى Class C amplifier وفيها تكون القطعتان فى حال القطع
العميق و يكون التوصيل فقط عند أطراف الموجة – أى جزء بسيط من الموجة و
كما هو واضح تسبب تشويه عالى جدا لذلك لا تصلح إلا فى مكبرات التردد
العالى حيث توجد دوائر رنين تحدد شكل الموجة و المطلوب شحن الطاقة فى
اللحظات المناسبة فقط و دائرة الرنين توزعها على باقى الذبذبة – الكفاءة
تصل 80% لذا دفع هذا التحسن فى الكفاءة إلى تبنى نفس الفكرة فى عمل
Switching Amplifier يستطيع أن تعمل بهذه الكفاءة و أعلى فى مكبرات
الترددات المنخفضة
السبب فى تحسن الأداء هو الجهد × التيار = الطاقة و الطاقة التى لا يستهلكها الحمل تفقد فى الترانزيستور
شرح للدوائر الكترونيه Qariya-2cbef2f672
فلو كنت تجرى بسرعة فلك طاقة فإن صدمت شيئا ما إن كان مرنا و يمتص الطاقة لن تشعر بالألم لكن لو لم يمتص الطاقة !!!
فى المكبر Switching Amplifier تكون الإشارة أقرب ما تكون لنبضة مربعة وهى
أقل الأشكال فقدا للطاقة لأن الحالة المثالية لها كما يلى
توصيل : تيار مع جهد على الترانزيستور = صفر و المحصلة = تيار × صفر = صفر
قطع : جهد التغذية مع تيار = صفر و المحصلة = جهد × صفر = صفر
والفقد فقط نتيجة أن الترانزيستور ليس مثاليا
المرة القادمة إن شاء الله نتحدث عن جمع الدائرتين معا - دارلنجتون مع دفع وجذب


لو نظرنا للدائرة السابقة
شرح للدوائر الكترونيه Qariya-4410c3c7c6
لوجدنا زوج من الترانزستورات متماثلين لكنهما معكوسين ، كيف هذا؟
هذا ما يسمى Complementary Pair أو الزوج المتكامل حيث يصنعان من نفس
القوالب التى تشكل طبقاته و بنفس التركيز من الشوائب و كل شىء حتى تكون
استجابتهما أقرب ما يمكن لبعض حتى لا يتسببا فى تشويه الإشارة أو يحمل
أحدهما على الآخر ولذا يذكر ذلك فى صحيفة بيانات Data Sheet كل منها و فى
الواقع هناك صحيفة واحدة لهما مع ذكر رقم كذا NPN و رقم كذا PNP
مثال : أرجو تحميل البيانات الخاصة بالترانزيستور 2N3055
[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذا الرابط]
قد نجد زوج كهذا عند التيار المطلوب ، وقد لا نجد – فقط NPN
لماذا ؟
تشكيل NPN اسهل من PNPحيث الحركة فى الأول للإلكترونات بينما للأخر
الفجوات أيضا الأولى أسرع و ذات نطاق ترددى أعلى من الثانية لذا يجب تعويض
هذا مما يجعل الأمور ليست بهذه البساطة – لماذا؟
انظر للرسم التالى و احكم أيها أسرع فى العبور ، "بلية" تقفز أم نحرك كل "بلية" بدورها حتى تتحرك الفجوة ؟

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-85f86dada2
لذلك قد لا تتجاوب الترانزستورات ذات القدرة العالية حيث قطع السيليكون
تناسب الأمبير المار لذلك يفضل أن نضع الزوج المتكامل عند مستوى أقل من
الأمبير و نستخدم دارلنجتون مع الترانزيستور ذو الأمبير المناسب

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-eb848d2bc9
هيه ما هذه الدايودات فى الدائرة؟
نراجع معا مسار الجهد من قاعدة ترانزيستور Q1 وحتى الأرضى
أولا نجد جهد قاعدة – باعث للترانزيستور Q1 ، ثم جهد قاعدة – باعث
للترانزيستور Q3 ، جهد قاعدة – باعث للترانزيستور Q2 و كل منها مساوى لجهد
ثنائى سيليكون عادى لذا للحفاظ على حد القطع وجب وضع جهد انحياز مساوى 3 ×
0.6 حسنا كيف نحقق ذلك
ارخص حل نحسب التيار و نضيف مقاومة تعطى الجهد
أسهل حل نضع زينر = 1.8 فولت
و لكن ماذا بعد دقيقتين من التشغيل و انخفاض جهد القاعدة – باعث إلى 0.55 فولت بتأثير الحرارة؟ هل تذكر تجربة الثنائيات ؟
إذن لن تجدى طريقة من الطرق السابقة ولذا بوضع هذه الثنائيات و ربطها
ميكانيكيا بالمبرد الخاص بترانزيستورات القدرة نضمن أن تتطابق هذه الجهود
لأبعد حد لأنها تسخن وتبرد معا
هذه الطريقة تسمى شبه مكمل أو quasi-Complimentary

الآن تحدثنا عن دائرة الدفع و الجذب وكيف تحقق جودة الأداء ، هل هناك تعديلات أخرى منها ؟
ماذا لو كانت السرعة هى الأهم بصرف النظر عن جودة الأداء
كيف السرعة تكون أهم؟
مثلا فى دوائر المنطق ، لا يهم إلا الصفر و أعلى جهد و ما بينهما لا يجب البقاء عنده
لهذا الغرض صنعت دائرة القطب الجامع Totem Pole حيث حذفت الدوائر التى
تحسن الخطية و استبقيت ما تؤكد الأداء الأمثل وهو يحاول ألا يجعل
الترانزيستورين موصلين معا أثناء الانتقال من مستوى لآخر
سنتحدث عنه بالتفصيل إن شاء الله فى شرح دوائر TTL
المرة القادمة إن شاء الله سنتكلم عن أنواع أخرى من الترانزستورات



FET MOSFET
من المفارقات التاريخية أن علماء شركة بل فى أواخر الأربعينيات كانوا
يبحثوا عن بدائل للصمامات الإلكترونية ذات مقاومة الدخول العالية جدا و
أنها تعمل بالجهد المتغير وليس التيار مما يسهل عمل المكبرات و خلافه لكن
ما تمكنوا من عمله كان الترانزيستور . بعد أعوام أخرى من الأبحاث تمكنوا
من تحقيق نجاح فى عمل ترانزيستور تأثير المجال Field Effect Transistor
FET والسبب أنه يحتاج لدقة أعلى فى التصنيع و التحكم فى المساحات و الشوائب
تركيبه ببساطة عبارة عن شريحة صغيرة أو بلورة من نوع ما وليكن سالب س N و
فى منتصفها حزام أو حلقة أو مساحة من النوع المخالف أى P أو موجب م ، طبعا
الشكل يعتمد على أسلوب التقنية المستخدمة فللدوائر المتكاملة نتكلم عن
شرائح و الأسلوب القديم فهو بلورة

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-818333a7e8

هذا يشكل ثنائى ولكن بشكل غير المعتاد كما أن له ثلاث أطراف بدلا من اثنين ، طرفان للبلورة و الثالث للحزام
بالطبع يمكننا توصيله توصيلا أماميا و يكون موصلا – ولكن لن يجدى ذلك شيئا
ماذا لو وصلنا الثنائى توصيلا عكسيا ؟
سيتكون جهد الحاجز و الذى يكون منطقة على كل جانب لا يمر فيها التيار ،
هذا – لا شك – سيقلل من مساحة مقطع الشريحة الأصلية المسموح بمرور التيار
بها ، و بالتالى تزداد المقاومة بين أطراف البلورة.
إذن يمكننا أن نتحكم فى التيار المار من خلال تغيير المقاومة و بالتالى
هذا الطرف نسميه بوابة Gate و الطرفان الآخران مصدر Source و مخرج Drain
لاحظنا طبعا أن التحكم من خلال ثنائى معكوس وهو يحقق مقاومة دخول عالية .
لماذا سمى هذا مصدر Source والآخر مخرج Drain – نفس الأسباب إلا أن هنا فارق كبير
فى الترانزيستور كان يجب أن يكون هناك تغيير فى نسبة الشوائب و شكل المجمع
لتحصيل أكبر قدر من الإلكترونات لدرجة أن رقم واحد فقط صنع بإمكانية تبديل
الباعث Emitter مع Collector المجمع ولم يدم طويلا حيث قيمة الكسب شرح للدوائر الكترونيه Bt كانت قليلة جدا.
هنا فى FET المسألة تغيير مقاومة ولا فارق تقريبا بينهما لدرجة أنه كثيرا ما يستخدم كمقاومة متغيرة بتغير جهد القاعدة
رمز الترانزيستور FET كما بالرسم و إذا كانت الشريحة الأساسية من النوع
السالب N فإن الترانزيستور يسمى N-Type و يكون السهم على القاعدة متجها
نحو الشريحة N-Type أما إن كانت موجب P فيسمى P-Type والسهم للخارج، أى أن
السهم يشير إلى حيث يكون N – كما أنه ليس فى وسط القاعدة بل جهة المنبع
Source
لنزيد مقاومة الدخول (القاعدة) هناك حيلة صغيرة يمكننا أن نقوم بها
ماذا لو جعلنا السطح عازلا ثم و ضعنا عليه طبقة موصلة أخرى؟ بالتأكيد
بالتأثير السعوى سيظل يعمل بنفس الطريقة – إذ لو كانت نفس الشريحة السابقة
N-Type ،فإن وضع جهد على القاعدة سيجذب شحنات مخالفة على الجانب الآخر من
الطبقة العازلة و جذب شحنات موجبة سيعادل الإلكترونات الحرة فى N-Type
مسببا زيادة مقاومتها كما سبق
أجل نظريا لكن عمليا كيف يتم؟!!
آن الأوان أن ننسى طريقة البلورة فلم تعد تصنع مكونات بهذه الطريقة الآن،
فالآلة التى تصنع تعمل بلورة واحدة فى المرة الواحدة لكن طريقة تصنيع
الدوائر المتكاملة أفضل
لماذا؟
تصنع من قرص رقيق من السيليكون قطره على الأقل 10 سم أى 100 مم فتكون
مساحته على الأقل 7850 مم2 و تخيل أن ملليمتر مربع واحد تصنع منه دائرة
مثل LM747 وهى أربعة مكبر عمليات كل منها أكثر من 30 ترانزيستور؟ إذن كم
تكون تكلفة الواحد؟
لتصنيعه ، بعد عمل الشرائح – يمرر أكسجين ساخن على الشريحة لتكوين طبقة من
ثانى أكسيد السيليكون – هل هذا الاسم مألوف؟ متى أخر مرة ذهبت للشاطئ؟ هل
استمتعت بالرمال؟
بعد ذلك ترش طبقة من العنصر المراد وضعه . نظرا لاستخدام أكسيد السيليكون
( وهو أكسيد لمعدن ) سمى MOSFET اختصار لأكسيد شبه الموصل المعدنى
بتغيير العازل و نوع مادة البوابة Gate نحصل على خواص أفضل و أسرع و بتكلفة أعلى لكن من يخطب الحسناء فليغلها المهر.

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-e6c44c9d9a

جميل ما وصلنا إليه لكن هناك شئ ما – أليس كونه دائم التوصيل ، ثم يقفل بتطبيق جهد القاعدة ، إلى حد ما يقلق؟
بالطبع وهذا له حل بسيط يسمى الترانزيستور المحسن Enhanced Type


Enhanced Type

كما رأينا المرة الماضية أن الترانزيستور من نوع FET يكون دوما موصل و
عندما يوضع جهد يبدأ فى زيادة المقاومة ، و للأسف هو بالنسبة لكلا النوعين
موجب وسالب لذا لو فكرنا عمل مرحلة دفع وجذب كالسابقة ستكون مشكلة كبيرة
عند بدء تشغيل الجهاز حيث كلاهما ON مسببا قصر على وحدة التغذية و عليهما
أيضا و النتائج ...
لذا نشأت الحاجة لوحدات تكون عادة Off و تفتح أو تقوم بالتوصيل فقط بناء على أمر (جهد البوابة Gate فقط)
كيف الحل؟
شرح للدوائر الكترونيه Qariya-a3ae647a9e
تخيل الشريحة السابقة N-Type ثم شكلنا الجزء الأوسط حتى يكون P-Type ماذا يحدث؟
بالتأكيد مثل الترانزيستور العادى لن نجد وسيلة لتمرير التيار حيث إحدى الوصلتين معكوسة
تماما لكن هنا نقطة نركز عليها وهى أن الجزء الأوسط عريض وليس رقيقا مثل حالة الترانزيستور العادى
مهلا ، أولا هى غير متصلة و ثانيا ، سبق أن قلت فى الترانزيستور أنها لو كانت عريضة لن يعمل !!!!! هل نغير الكلام الآن؟؟؟
كلا – لا يهم الكلام فالقانون يسرى بصرف النظر عما نقول
إذن ما القصة الآن؟
القصة ببساطة أن الأداء مختلف
هناك فى الترانزيستور العادى أردنا لإلكترونات الباعث Emitter أن تعبر
القاعدة Base الموجبة دون أن تأخذ فرصة للاتحاد ، لذا كان يجب أن تكون
رقيقة
أما هنا فببساطة نريد لها أن تتعادل و يبقى منها الكثير لينقلب النوع الموجب إلى سالب فتصبح كشريحة واحدة من نوع واحد N-Type
كيف هذا – هل تتغير طبيعة المادة؟
أرجو أن نرجع للمرات السابقة حيث تكلمنا عن تشكيل الأنواع السالب و الموجب.
قلنا أن ما يحدد كون المادة سالبة أو موجبة هو نسبة الشوائب الغالبة و
التقنية المستخدمة فى صناعة الدوائر المتكاملة هى أن نجعل شريحة مثلا
سالبة ثم نضيف شوائب عكسية لتصبح موجبة ببساطة
الإلكترونات تتعادل مع الفجوات ، فإن زادت إلكترونات كانت المادة سالبة ، وإن زادت فجوات تصبح موجبة
حسنا بالنسبة للترانزيستور FET من النوع السالب السابق N-Type فعند وضع
جهد موجب على البوابة تجذب شحنات سالبة على الجانب الآخر من العازل
(إلكترونات) فتتعادل مع فجوات النوع الموجب P-Type حتى تلغى الفجوات تماما
و عندها تبدأ المادة تتصرف كنوع سالب N-Type لوفرة الإلكترونات بها
إذن النوع المعزز نجده غير موصل عادة و بعد جهد محدد يبدأ التوصيل التدريجى
طبعا نحتاج لعمل وحدات ذات قدرات عالية و القدرة العالية تحتاج أمبير كبير
وهو يحتاج لمساحة كبيرة لذا ابتكر ما يسمى بالنوع الرأسى وهو كما بالرسم

عبارة عن مجرى حرف V و تشكل منه أجزاء الترانزيستور لتوفير المساحة
المستعرضة ولا يختلف عن زملائه بعد ذلك حتى ربما لا ندرك أنه من هذا أو
ذاك و كثيرا ما لا يذكر ذلك فى صحيفة الخواص

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-6e15c81373
كيفية التوصيل؟

اريد من اخوتي واحبائي الاعزاء بالمنتدى بمساعدتي بشرح هذه الدائرة التابعة لاحد مواضيع المنتدى والموقع الجميل
وارجوا ان يتم شرح الدائرة كاملة بحيث انه ماذا يحدث بداخلها وما هي النتائج


[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذا الرابط]

شرح للدوائر الكترونيه Oscill_circuit
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
عدوه الشيطان

عدوه الشيطان


عدد الرسائل : 331
العمر : 28
العمل/الترفيه : طالبه
السٌّمعَة : 10
تاريخ التسجيل : 10/09/2008

شرح للدوائر الكترونيه Empty
مُساهمةموضوع: رد: شرح للدوائر الكترونيه   شرح للدوائر الكترونيه Emptyالسبت ديسمبر 25, 2010 6:32 am


المجمع المشترك / تابع المهبط Emitter Follower
لو نقلنا الملف من دائرة المجمع C إلى دائرة الباعث E سيصبح لدينا دائرة مجمع مشترك.

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-e9d0d6f2e5

ولكنك قلت أن شرط الاهتزاز Aشرح للدوائر الكترونيه Bt = 1 و الكسب هنا أقل من 1!!
لهذا سنعوض الكسب بنسبة التحويل فى الملف فهو يعمل كمحول و نسبته من 2:1 إلى 5:1 لتعويض الفقد فى تابع الباعث.
يمكننا أن نأخذ الخرج من على الباعث E، ولكن البعض لا يحبذ ذلك لأنه متصل
مباشرة بدائرة الرنين و من شأنه أن يؤثر على التردد. لحل هذه المشكلة نضع
على المجمع C حملا مثل مقاومة أو ملف كما هو مبين بلون مختلف للتأكيد على
أنه ليس ضروريا لعمل المهتز ولكنه تحسين فى الدائرة.

هذه الدائرة تستخدم كثيرا لثباتها لبعدها عن تأثير السعة بين المجمع والقاعدة CCB.




القاعدة المشتركة CB

يمكننا أيضا تكوين مذبذب هارتلى بجعل القاعدة مشتركة ووضع ملف فى الدخول
(باعث) E وآخر فى الخرج (مجمع) C والربط بمكثف بينهما والذى يمكن أن يكون
السعة الشاردة.
طبعا لتحقيق التغذية العكسية سيكون الملفين على مشكل واحد لنقل نسبة من
الخرج على المجمع للدخل على الباعث. هنا أضيف للباعث مقاومة و مكثف يمكن
إدخال إشارة الصوت كما بالرسم لعمل تضمين ترددى عن طريق تغيير انحياز
القاعدة و من ثم قيمة السعة فى القاعدة

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-1be4b8c9e0

هذه الدائرة شهيرة فى دائرة الميكروفون اللاسلكى على موجة FM .
نلاحظ أن الدوائر السابقة استخدمت ملف واحد ذو وصلة نسبية أو متوسطة و هذا
يسهل حساب التردد كما بالصورة حيث ل حث الملف الكلى، س سعة المكثف الموضوع
على التوازى مع هذا الملف


مذبذب كولبتز:

مذبذب كولبتز كما قلنا فى التغذية العكسية يستخدم مكثفين و ملف.
هكذا ستكون دائرة كولبتز حسب التعريف، ولكن أين البطارية؟

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-085919a0f8
حسنا ليس لها سوى مكانين. كما باللون الأحمر بين المجمع C و المكثف وهذا لا يصلح لأن المكثف سيمنع مرور التيار.
حسنا إذن كما باللون الأخضر!!
و من أين ستأخذ الخرج؟؟ لاحظ أن البطارية كما ذكرنا فى أول السلسلة مصدر جهد ثابت أى أنها تكون قصر من جهة المقاومة أو المعاوقة.
لكن أنا عملت دائرة كهذه و أعطت خرج!!!!
كانت البطارية 9 فولت أليس كذلك؟؟ - و ما دخل جهد البطارية فى ذلك؟!!
هذا تغاضى أو تجاوز شائع لا يلحظه الغالبية و لكن المفاجئ أنه عند وضع هذه الدائرة على محاكى، لا تعمل.
البطارية 9 فولت لا تعطى تيار كبير لذلك فلها مقاومة داخلية عالية نوعا ما
وهذه المقاومة هى التى يظهر عليها الخرج ولكن لو وضعت الدائرة على محاكى،
سيفترض أن البطارية مثالية و يضع قصرا بين المجمع والباعث CE فى الدائرة
المكافئة لحساب الخرج. ولهذا لا تعمل. أيضا لو استبدلت البطارية بأى مصدر
9 فولت أفضل.
حسنا سنضع مقاومة صغيرة أو ملف خانق لنأخذ الخرج من المجمع C.
شرح للدوائر الكترونيه Qariya-f35b4266d4

لا تنسى أن هذا الجهد المستمر سيكون على القاعدة أيضا لأن الملف يعتبر من جهة الجهد المستمر قصر.
لهذا نحتاج مكثف "ربط" بين القاعدة والملف.
لكن هذا سيقطع تغذية القاعدة كليا، بسيطة – نعتمد دائرة باعث مشترك تقليدية ونضيف لها الرنين.
نفس قانون التردد حيث C1,C2 على التوالى وهذا صحيح من وجهة نظر الملف الذى سيهتز.
المكثف C هو الربط و يكون 10 أمثال C1,C2 على الأقل حتى لا يدخل فى الحساب.

الملف Choke هو الملف الخانق والذى يمكن استبداله بمقاومة وقيمته كبيرة
فهو فقط لإمرار التيار المستمر و يعوق التردد. مقاومة الباعث E و المكثف
سبق شرحهم و يفضل طبعا استخدام مكثف يناسب التردد ولا يكون كيماوى كما
بالرسم إلا للترددات المنخفضة فقط.

يمكن أيضا عمل المذبذب بطريقة مختلفة حيث تكون التغذية العكسية من خلال
مجزئ جهد من C1,C2 كما بالرسم كما بالشكل الأيمن و بتذكر الحوار السابق
حول التغذية تكون الدائرة النهائية كما بالشكل الأيسر هكذا.

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-d4cc340b45

نلاحظ هنا أن مقاومتى انحياز القاعدة Bias استبدلا بمقاومة واحدة لتبسيط
الرسم وهو صحيح لكن لا يمنع ذلك من استخدام الأسلوب التقليدى بمقاومتين.
أيضا نلاحظ أن مقاومة الباعث أصبحت بدون مكثف لكى نأخذ الخرج منها عبر
C1,C2 والملف لتغذية القاعدة لتحقيق التغذية العكسية المطلوبة للتكبير.

معاوقة C2 إلى C1 نفس نسبة الملفات فى مذبذب هارتلى أى 1:3 إلى 1:5 وهذا يجعل سعة C2 من 3 إلى 5 مرات مثل C1 .
المرة القادمة إن شاء الله نتحدث عن مذبذبات أخرى


مذبذبات أخرى للتردد العالى

يمكننا أن نطبق القاعدة ببساطة و بدون أى وضع خاص فنحصل على أقدم شكل من
المذبذبات والمعروف باسم مذبذب أرمسترونج وهو ببساطة أن نضع دائرة رنين فى
دخول مكبر و نغذيها من خرجه بحيث نحقق الشرط.

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-34fff4949e

هنا سنجد الدائرة محققة ببساطة من خلال الملف L1C1 كدائرة رنين و تأخذ تغذية عكسية من خلال L2 فى دائرة المجمع.
يجب أن يكون الترانزيستور عاملا لهذا نستخدم المقاومة R1 لإعطاء انحياز
للقاعدة كما يمكن استخدام R2C2 فى دائرة الباعث لزيادة الاستقرار.
الملف L1 سيسبب قصر بين القاعدة والأرضى على الجهد المستمر و من ثم لا
يتمكن تيار الانحياز من تشغيل القاعدة و الترانزيستور، لهذا يستخدم مكثف
ربط Cc لمنع التغذية المستمرة للقاعدة من هذا الأثر.
لتحقيق الكسب الكافى مع التغذية المناسبة يجب التحكم فى أى منهما.
يمكن التحكم فى الكسب عن طريق التلاعب فى قيمة المقاومة R2. ولكن هذه
المقاومة لازمة للاستقرار! لهذا نستبدل المقاومة بأخرى متغيرة و نضع
المكثف C2 على الطرف المنزلق كما سبق الشرح فى دوائر الترانزيستور السابقة
و تكون المقاومة ثابتة للتيار المستمر لتحقيق الاتزان و المكافئ للمتردد
يمكن ضبطه بموضع المكثف.

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-b381ee4406

الحل الثانى هو التحكم فى التغذية و ذلك باستخدام خاصية أن الملفين L1,L2
يجب لفهما على نفس القالب أو الأنبوب العازل نفسه، يمكن وضع قلب فيرايت
يناسب التردد المستخدم و بتحريكه للداخل أو الخارج يمكن التحكم فى نسبة
الترابط بين الملفين و بالتالى نسبة التغذية العكسية الموجبة.



مذبذب البلورة:
هيه قلت أن المذبذب فى التردد العالى إما كولبتز أو هارتلى ، ولكن هناك مذبذب كريستال أيضا !!
معك حق و لكن ما هى الكريستال أولا ؟
شريحة من الكوارتز رقيقة جدا بحيث تهتز عند التردد المرغوب !
تهتز؟ مذبذب إلكترونى – تهتز ؟
ببساطة ، خواص كريستال الكوارتز أنها تلتوى أو تتمدد بتعرضها لجهد كهربى و
العكس صحيح و كانت تصنع منها ميكروفونات الكريستال و رأس لاقط الأسطوانات
القديمة وهذه خاصية تسمى الكهرو ضغطية أو Piezoelectric هذا الرابط يوضحها
بالرسوم المتحركة رجاء مشاهدتها
[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذا الرابط]

كما أن مشاهدة باقى الصفحة تعرض صور الكريستال و أيضا بعض السماعات و التى
تسمى Buzzer و كلها من هذه البلورات والتى من الطبيعى أن يكون لها رنين.
تتميز الكريستال بدقة عالية حيث تصل ببساطة إلى 50 جزء فى المليون أى
بقيمة خطأ 50 ذبذبة لكل ميجا هرتز ويكفى أن تتذكر دقة الساعات الرقمية
لتشعر بهذا.
تنقسم الكريستال إلى نوعين رئيسيين، كريستال بدون مهتز و تسمى "كريستال" و كريستال بالمهتز و تسمى مذبذب كريستال Crystal Oscillator.

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-18a5f9089a

الأولى عبارة عن البلورة فى غلاف واقى و لها طرفى توصيل، مثل الشكل رقم 3
أما الشكل 1،2 فهما تثبيت سطحى. عادة ما يكون لها طرفى توصيل فقط لكن
أحيانا ما يضاف طرف ثالث متصل بالغلاف المعدنى يوصل بالأرضى كعازل للموجات
الكهربية Electrostatic shield .
مذبذب الكريستال شكل 4 يكون فى غلاف أكبر وله 4 أطراف ، 2 للتغذية و غالبا
ما تكون 5 فولت و طرفى خرج، ولا يخفى أن الأرضى هنا سيكون مشترك أى أرضى
التغذية و أرضى الخرج ولكن يفضل دوما توصيلهما توصيلا مستقلا حتى لا
يتشارك "مسار رجوع" التردد مع "مسار رجوع" التغذية والذى بدوره سيغذى
مراحل أخرى فى الدائرة.

العنصر الأساسى الذى يقلل من دقة هذه البلورات، كأى شيئا ميكانيكيا، هو
الحرارة حيث بتمدده و انكماشه يتغير التردد. لهذا وضعت وحدات منها داخل
غرفة صغيرة مثبتة درجة حرارتها و تسمى "فرن" و تسمى الكريستال ذات الفرن
الحرارى Oven controlled Crystals شكل رقم 5 وتصل دقتها إلى 50 جزء فى
البليون أى أفضل ألف مرة من سابقتها. الرابط التالى لصفحة بيانات واحدة من
هذه البلورات.
[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذا الرابط]
الرسم التالى يبين الدائرة المكافئة للبلورة

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-24544b26a1

والرسم التالى لمنحنى الاستجابة

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-bcfaed405c

نلاحظ هنا شيئان هامان جدا
1- لا يوجد مسار للتيار المستمر خلالها – دائما تجد مكثف فى المسار وهنا
تستنتج أن الكريستال لن تحل محل دائرة الرنين و لكنها تقوم بعملها بصورة
أفضل و أكثر ثباتا، لذلك إن أردت أن تستبدل دائرة الرنين بالبلورة – لا
تنسى توفير المسار للتيار عند الحاجة.
2- تحتوى على دائرتى رنين – الأولى توالى (L1,C1 ) و الثانية توازى ( L1,CO )

من هذا الرسم نستنتج أن لها ترددى رنين متقاربين و لكن لحسن الحظ ، أحدهما
حثى و الآخر سعوى لذلك لا تعمل إلا على تردد واحد فقط ، لهذا تصلح أن تكون
فى مذبذب هارتلى أو كولبتز !
مهلا ، لو راجعنا المنحنى السابق نجد أحدها فى جانب و الآخر فى جانب آخر لذلك تحدد البلورة أنها أنسب لأى تطبيق من الاثنين
فى حال مذبذب هارتلى ، ستكون البلورة أحد الحثين (الملفين) فى الدخول أو الخروج و يعتمد على السعة الداخلية أو مكثف صغير يضاف.

أما فى حال مذبذب كولبتز ، ستكون البلورة هى الحث (الملف) الذى يربط بين
الخرج والدخل و يحتاج لمكثفين واحد فى الدخول و الآخر فى الخروج ، و نظرا
لأن معاوقة البلورة تسقط فجأة عند الرنين فتسمى "اختراق" و يسمى المذبذب
أيضا Pierce oscillator
شرح للدوائر الكترونيه Qariya-5fea2271f6
أظن هذا الرسم شهير جدا فى دوائر المايكرو بروسيسور و الميكرو كونتروللر.
لا نستطيع الحصول على الترددات العالية جدا لكن هناك كريستال و مذبذب كريستال
الفرق أن الأخير يشمل دائرة المذبذب و قد تحتوى مضاعف للتردد للحصول على الترددات العالية المرغوبة

نتحدث المرة القادمة إن شاء الله عن بعض طرق التوصيل التى تحدثنا عنها عرضا مثل دارلنجتون ودوائر الخرج




الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
عدوه الشيطان

عدوه الشيطان


عدد الرسائل : 331
العمر : 28
العمل/الترفيه : طالبه
السٌّمعَة : 10
تاريخ التسجيل : 10/09/2008

شرح للدوائر الكترونيه Empty
مُساهمةموضوع: رد: شرح للدوائر الكترونيه   شرح للدوائر الكترونيه Emptyالسبت ديسمبر 25, 2010 6:30 am


مذبذب هارتلى:

كما سبق الشرح نحتاج إلى ملفين و مكثف لعمل هذا المذبذب ملف بين الدخول و
المشرك والآخر بين الخروج والمشترك و المكثف بين الخرج والدخل والذى هو
موجود بالفعل فى صورة سعة شاردة ، و هكذا يمكننا عمله بثلاث طرق كما علمنا
باعث مشترك CE و قاعدة مشتركة CB و مجمع مشترك CC.

الباعث المشترك CE :

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-b2d5021118

سنبدأ بالدائرة التقليدية للباعث المشترك ونضيف لها ملفين و مكثف فتصبح
كما بالشكل1. و قد كان من الأجدر البدء بالدائرة التى انتهينا إليها فى
دراستنا السابقة و لكن إمعانا فى التبسيط تركت باقى المكونات حتى ننتهى.
طبعا لابد من البطارية أو التغذية. الآن لتحقيق التغذية العكسية الموجبة
سنقرب الملفين أحدهما من الآخر كما بالشكل2، و لتسهيل الأمور نجعلهما ملف
واحد له وصلة نسبية (لا أفضل استخدام وصلة نصفية فقد لا تكون فى المنتصف
ولكن كلمة نسبية لتوحى أنها لأى نسبة أخرى)، هذه الوصلة توصل بالطرف
الموجب.
المكثف المستخدم هو السعة الشاردة بين المجمع والقاعدة و هذا يشكل مشكلة
من حيث أنه غير محدد القيمة وغير ثابت أيضا رغم أن صفحة البيانات تذكر له
قيمة لكن هى تقريبية أو قيمة عظمى وليست دقيقة و أخيرا غير قابلة للضبط
لتحديد التردد. لذا وجب "غمرة" بمكثف آخر معلوم السعة وغالبا ما يكون مكثف
ضبط.
طبعا دخول الموجب على القاعدة مباشرة يسبب تشبع الترانزيستور لذا من
الأفضل عزل القاعدة عن الملف بمكثف آخر و تغذيتها بالمقاومتين التقليديتين
فتصبح الدائرة النهائية هكذا.
طبعا مقاومة الباعث لتحقيق الاستقرار والمكثف المرافق لها.
نلاحظ أيضا أن التغذية هنا +12 فولت تدخل من خلال المرشح السابق ذكره لفك الارتباط وهو مقاومة 330 أوم مع مكثف 0.1 مايكرو.

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-faaf26f73c
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
عدوه الشيطان

عدوه الشيطان


عدد الرسائل : 331
العمر : 28
العمل/الترفيه : طالبه
السٌّمعَة : 10
تاريخ التسجيل : 10/09/2008

شرح للدوائر الكترونيه Empty
مُساهمةموضوع: رد: شرح للدوائر الكترونيه   شرح للدوائر الكترونيه Emptyالسبت ديسمبر 25, 2010 6:29 am


مولدات الموجة ألجيبيه:
نفس القانون و تحقيق التغذية الخلفية بأى طريقة ستؤدى الغرض.
الشروط : كما سبق 1 - تغذية خلفية موجبة 2- الكسب × نسبة التغذية = 1 أو أكبر قليلا
للحصول على موجة جيبيه ، يجب أن يكون ألشرط الثانى وهو التغذية الخلفية ×
الكسب =1 يتحقق عند التردد المرغوب فقط و أن يقل عن ذلك عند باقى الترددات
الغير مرغوبة.
ماذا يحدث لو تحققت عند أكثر من تردد؟
لو تحققت عند نطاق من الترددات، إذن لن يصبح المولد مستقرا و سيتأرجح
تردده فى هذا النطاق. أما لو تحقق عند تردد و توافقياته سيولد موجة مشوهة
أو يتحول إلى مذبذب متعدد كما سبق الشرح.

الآن لم يعد عمليا أن نشرح "كيف تبدأ الإشارة خطوة بخطوة" كما سبق فالأمر
أصبح الآن أكثر وضوحا خاصة و أننا نستخدم عادة دائرة مكبر واحدة ، سيكون
كسبها سالبا بمعنى أنها تعطى 180 درجة فرق وجه ، و عليه يجب أن توفر دائرة
التغذية 180 درجة أخرى لتحقيق الشرط. وكما سبق القول المكبر هو مكبر، و
دوما هناك ضوضاء لتكبر خلال التغذية و أيضا نبضة البدء السابق شرحها.
إن تسببت دائرة التغذية فى تقليل نسبة الإشارة عند التردد المعنى ، تعوض هذه النسبة بالكسب

مذبذب م س:

هذه دائرة مكبر باعث مشترك عادية و نريد إضافة 180 درجة لتحقيق الشرط ،
دائرة مقاومة و مكثف مثالية تعطى 90 درجة ، إذن نظريا تكفى دائرتان لكن
أين المثالية؟ لأن لكى تعطى كل منها 90 درجة إذن المقاومة = صفر أو المكثف
مالا نهاية

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-3cf2e641ef
لهذا نستخدم ثلاث مراحل على الأقل ، تعمل كل دائرة "مقاومة - مكثف" على
إزاحة الإشارة 60 درجة ليكون المجموع 180 درجة و لكنها ستعمل أيضا كمجزئ
جهد ، فعند 60 درجة نجد أن التجزيء الكلى للمراحل الثلاث = 1 : 16 تقريبا
و من ثم يجب أن يكون الكسب أكبر من 16 لهذا المكبر.
أيضا أكثر من ثلاث مراحل دائرة "مقاومة - مكثف" يمكن أن تعمل إلا أنه
عمليا غير مجدى و قد تتحقق الشروط عند أكثر من تردد – كما أن كل مرحلة
تضيف نسبة تجزئ مما يتطلب كسب أعلى.
التردد كما هو بالمعادلة فى الصورة و القيمة n هى عدد مراحل م س فى
الدائرة وهى هنا ثلاث مراحل فتصبح جذر 6 أى 2.45 التردد = 1 ÷ 15.4 م س

نتحدث المرة القادمة إن شاء الله عن بعض مذبذبات التردد العالى
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
عدوه الشيطان

عدوه الشيطان


عدد الرسائل : 331
العمر : 28
العمل/الترفيه : طالبه
السٌّمعَة : 10
تاريخ التسجيل : 10/09/2008

شرح للدوائر الكترونيه Empty
مُساهمةموضوع: رد: شرح للدوائر الكترونيه   شرح للدوائر الكترونيه Emptyالسبت ديسمبر 25, 2010 6:28 am


المذبذب وحيد الاستقرار Mono Stable multi-vibrator

كما سبق هذه هى الدائرة
شرح للدوائر الكترونيه Qariya-6ba8cb4c3d

هذه الدائرة مزيج من الدائرتين السابقتين ولهذا يمكننا أن نأخذ شرح Q2 من ثنائى الاستقرار و Q1 من عديم الاستقرار.
المقاومة R1 كما سبق الشرح ستكفى لجعل الترانزيستور Q1 فى حال التشبع، أما
Q2 فهو تابع لأنه يأخذ جهد قاعدته من مجمع Q1 ، ففى وضع الاستقرار حيث
يكون المكثف مشحونا أو فارغا، فإن مجمع Q1 يحكم قاعدة Q2 بينما لا يؤثر Q2
على Q1 .
إذن وضع الاستقرار يفرض Q1 فى حال التشبع و Vc1 = صفر أو 0.2 إن شئت الدقة
وهذا لا يكفى لجعل Q2 يدخل فى مرحلة التوصيل. إذن Q2 يكون فى حال القطع، و
بالتالى VC2 = جهد البطارية مما يجعل المكثف مشحونا بالقيمة كاملة.
بإعطاء نبضة سالبة على قاعدة Q2 تخرجه من التشبع أو موجبة على قاعدة Q1
تدخله فى التوصيل، ستبدأ دورة التكبير المتبادل عملها فينتقل فجأة للحال
المعاكس حيث Q1 فى حال القطع و Q2 فى حال التشبع والذى يجعل المكثف فى وضع
مقلوب فارضا جهد سالب بقيمة البطارية على قاعدة الترانزيستور.

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-108b25bd22

الآن تفريغ شحنة المكثف نحو جهد البطارية معكوسا هو ما يبقى الدائرة فى
الوضع الجديد حتى يصل إلى صفر تقريبا أو 0.5 فولت وهو حد الدخول فى
التوصيل فيبدأ التكبير فى إعادة الأوضاع لوضع الاستقرار مرة أخرى.
تفريغ المكثف يبدأ بجهد البطارية محاولا للشحن بنفس القيمة معكوسة أى أن
المدى ضعف جهد البطارية و فى المثال المبين عادة يكون مشحونا بقيمة +12
فولت و فى خلال النبضة يريد أن يصبح -12 فولت ولكنه يتوقف عند الصفر وكما
شرحنا فى المقاومة والمكثف أيضا نجد أن الزمن هنا لا يعتمد على قيمة جهد
البطارية.
زمن النبضة = 0.693×م×س حيث م هى R1 و س هو C1
الآن بطريقة التغذية العكسية:
لدينا مرحلتى تكبير والربط مختلف إذن كما سبق الشرح نتوقع استجابة لكل منهما
الكسب عالى و احد مراحل الربط بالجهد المستمر فنتوقع إما القطع أو التشبع،
أما الربط الثانى فهو مرشح إمرار تردد عالى و عليه سيكون التردد من القطع
فصاعدا أى نبضة مربعة تعتمد على هذا المرشح.

نتحدث المرة القادمة إن شاء الله عن مذبذبات الموجة ألجيبيه
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
عدوه الشيطان

عدوه الشيطان


عدد الرسائل : 331
العمر : 28
العمل/الترفيه : طالبه
السٌّمعَة : 10
تاريخ التسجيل : 10/09/2008

شرح للدوائر الكترونيه Empty
مُساهمةموضوع: شرح للدوائر الكترونيه   شرح للدوائر الكترونيه Emptyالسبت ديسمبر 25, 2010 6:27 am


المذبذب عديم الاستقرار Astable multi-vibrator

الكل يريد أن نبدأ من الصفر و الغوص فى متاهة الشحن والتفريغ، حسنا سأفعل هذا أولا ثم أقارن ذلك بالتغذية العكسية ولنرى أيها أسهل

شرح للدوائر الكترونيه Qariya-d04c970bcc
عند توصيل التيار لأمل مرة كانت كل الجهود تساوى صفرا و المكثفات فارغة
لكن لدى ترانزيستور Q1 له مقاومة R1 تريد إدخاله فى التشبع و كذلك Q2 له
R2 و الفروق فى السماح تجعل أحدهما له كسب أعلى من الثانى و استجابة فى
تحقيق الدخول فى التشبع أسرع من الثانى وليكن Q1 مثلا. هذا الهبوط المفاجئ
فى جهد المجمع سيوضع على قاعدة Q2 عبر المكثف مما يجعله فى وضع القطع.
يمكن أيضا اعتبار أن المكثفات الفارغة تعمل كقصر مما يجعله يبدو كالمذبذب السابق فى أول انتقال.
سنفترض الآن أن كما ذكرنا Q2 فى وضع القطع و سيكون Q1 فى التشبع.
جهد مجمع Q2 = تقريبا 12 فولت وهو يشحن C2 عبر قاعدة Q1 محافظا عليه فى التشبع.
هذه هى البداية. والآن C2 عليه 12 فولت وتم الشحن و توقف التيار فيبدأ Q1
فى التكبير و جهد المجمع له فى الارتفاع مسببا مرور تيار فى C1 دافعا Q2
أيضا للتكبير مما يسبب انخفاض جهد المجمع له وتستمر الدورة كالمذبذب
السابق فيصبح Q2 فى وضع التوصيل و Q1 فى وضع القطع.
الآن C2 كان مشحونا بجهد 12 فولت أى أن الآن الطرف الموجب له متصل بالأرضى
عبر Q2 ومن ثم الطرف السالب سيضع -12 فولت على قاعدة Q1 وهذا ما يبقيه فى
حال القطع. لاحظ أنها تقريبا سالب قيمة التغذية.
سيبقى Q1 فى حال القطع حتى يفرغ C2 من – 12 إلى تقريبا +0.6 فولت وهى
تقريبا نصف المسافة بين -12 و +12 التى يشحن فى اتجاهها. عند نصف المسافة
هذه يدخل الترانزيستور فى التوصيل ليعود للوضع الأول .
من دوائر المقاومة و المكثف لو نذكر أننا استنتجنا قاعدة أن الشحن
والتفريغ لنسبة محددة من البطارية لا يعتمد على قيمتها، و من هنا زمن
النبضة يعتمد فقط على قيمتى المقاومة و المكثف .
بطريقة التغذية العكسية:
بتطبيق القواعد السابقة سنجد أن لدينا مكبرين متماثلين والرابط بينهما
مرشح تمرير تردد عالى H.P.F.مكون من المقاومة والمكثف، إذن سيهتز عند كل
الترددات البادئة من تردد القطع لهذا المرشح وهو 1/م س. أى نفس العلاقة
ولكن التحليل أسرع و أيسر فى الفهم. ماذا يهمنا فى متى يشحن أو يفرغ،
تأكدنا من التغذية، إذن سيهتز وحددنا التردد.
فلو جعلنا طاقم م س مختلف عن الآخر سيستجيب لكلا الطاقمين على التتابع و
نحصل على نبضة لا يتساوى فيها عرض النبضة مع الزمن بين النبضتين. لأن كل
منهما يخضع لطاقم م س مختلف.
التردد = 0.72 مقسومة على م × س
الآن نتحدث عن وحيد الاستقرار المرة القادمة إن شاء الله.
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
 
شرح للدوائر الكترونيه
الرجوع الى أعلى الصفحة 
صفحة 1 من اصل 1

صلاحيات هذا المنتدى:لاتستطيع الرد على المواضيع في هذا المنتدى
الصفحه الرئيسيه :: منتدى نقابه المهندسين :: منتدى الهندسة الكهربائية-
انتقل الى: